UG3SC120009K4S

onsemi
431-UG3SC120009K4S
UG3SC120009K4S

制造商：

说明：
JFET 1200V/9MOSICFETDGG3TO

数据表:
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库存量: 615

库存：
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31 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
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本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥598.674 ¥598.67
¥482.6343 ¥4,826.34

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: JFET
RoHS:  
SiC
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
Single
1.2 kV
- 25 V to 25 V
6 uA
120 A
7.6 mOhms
789 W
- 55 C
+ 175 C
UG3S
Tube
商标: onsemi
产品类型: JFETs
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
美国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

UG3SC 1200 V 7.6 mΩ组合FET

安森美UG3SC 1200V 7.6mΩ组合FET在单个TO-247-4L封装中集成了1200V SiC JFET和低压Si MOSFET。该设计可实现常闭开关，同时利用常开SiC JFET的优势。安森美UG3SC组合场效应晶体管（FET）具有超低导通电阻[RDS(on)]，可降低导通损耗，另外还具有电路保护应用中高能量开关所需的稳健性。

组合场效应晶体管

安森美 (onsemi) 组合场效应晶体管是一款革命性设备，在一个紧凑型封装中结合了低RDS(on) 安森美 (onsemi) SiC JFET与Si MOSFET。这些组合场效应晶体管专门设计用于诸如固态断路器、电池断开装置和浪涌保护等低频保护应用，允许用户访问 JFET栅极以优化设计。将Si MOSFET集成到这些安森美 (onsemi) 组合场效应晶体管 (FET) 中可确保解决方案处于常闭状态，与分立实现相比，可实现超过25%的尺寸减小。

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