UG3SC120009K4S

onsemi
431-UG3SC120009K4S
UG3SC120009K4S

制造商：

说明：
JFET 1200V/9MOSICFETDGG3TO247-4

数据表:
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库存量: 627

库存：
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生产周期：
31 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于627的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥532.8515 ¥532.85
¥408.947 ¥4,089.47
¥402.2461 ¥48,269.53
510 报价

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: JFET
RoHS:  
SiC
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
Single
1.2 kV
- 25 V to 25 V
6 uA
120 A
7.6 mOhms
789 W
- 55 C
+ 175 C
UG3S
Tube
商标: onsemi
产品类型: JFETs
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

UG3SC 1200 V 7.6 mΩ组合FET

安森美UG3SC 1200V 7.6mΩ组合FET在单个TO-247-4L封装中集成了1200V SiC JFET和低压Si MOSFET。该设计可实现常闭开关，同时利用常开SiC JFET的优势。安森美UG3SC组合场效应晶体管（FET）具有超低导通电阻[RDS(on)]，可降低导通损耗，另外还具有电路保护应用中高能量开关所需的稳健性。

组合场效应晶体管

安森美 (onsemi) 组合场效应晶体管是一款革命性设备，在一个紧凑型封装中结合了低RDS(on) 安森美 (onsemi) SiC JFET与Si MOSFET。这些组合场效应晶体管专门设计用于诸如固态断路器、电池断开装置和浪涌保护等低频保护应用，允许用户访问 JFET栅极以优化设计。将Si MOSFET集成到这些安森美 (onsemi) 组合场效应晶体管 (FET) 中可确保解决方案处于常闭状态，与分立实现相比，可实现超过25%的尺寸减小。

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