NTMFS003P03P8ZT1G

Name: onsemi NTMFS003P03P8ZT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-TMFS003P03P8ZT1G
Price: 21.96 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-TMFS003P03P8ZT1G

制造商编号：

NTMFS003P03P8ZT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET PFET SO8FL -30V 3MO

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

NTMFS003P03P8ZT1G 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SO-8FL
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	234 A
Rds On-漏源导通电阻:	1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	277 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	139 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	380 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	116 ns
系列:	NTMFS003P03P8Z
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	325 ns
典型接通延迟时间:	28 ns

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数据表

NTMFS003P03P8ZT1G 数据表 (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-7-9 (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NTMFS003P03P8Z P沟道MOSFET

onsemi NTMFS003P03P8Z P沟道MOSFET是一种单通道、-30V MOSFET，尺寸为5mmx6mm，可节省空间并具有出色的热传导性能。这款P沟道MOSFET具有1.8mΩ的超低R_DS(on)，可提高系统效率和-234A漏极电流。NTMFS003P03P8Z P沟道MOSFET的工作结温和存储温度范围为-55°C至150°C。这款MOSFET无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS规范。NTMFS003P03P8Z MOSFET适用于电源负载开关、反向电流保护、过压保护、反向负压保护和电池管理。