SGT070R70HTO

Name: STMicroelectronics SGT070R70HTO
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT070R70HTO
Price: 57.1 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-SGT070R70HTO

制造商编号：

SGT070R70HTO

制造商：

STMicroelectronics

说明：

GaN 场效应晶体管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor

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封装:

整卷卷轴（请按1800的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥64.523	¥64.52
	¥46.2396	¥462.40
	¥40.3636	¥4,036.36
	¥39.211	¥19,605.50
	¥38.4652	¥38,465.20
整卷卷轴（请按1800的倍数订购）
	¥37.4708	¥67,447.44
3,600	报价

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-LL-11
Vds-漏源极击穿电压:	700 V
Id-连续漏极电流:	26 A
Rds On-漏源导通电阻:	70 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 6 V, + 7 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	8.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	231 W
通道模式:	Enhancement
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	9 ns
湿度敏感性:	Yes
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品:	FET
产品类型:	GaN FETs
上升时间:	9 ns
系列:	SGT
工厂包装数量:	1800
子类别:	Transistors
技术:	GaN
类型:	PowerGaN Transistor
典型关闭延迟时间:	7 ns
典型接通延迟时间:	10 ns
单位重量:	697 mg

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ECCN:: EAR99

SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管

STMicroelectronics SGT070R70HTO电子模式PowerGaN晶体管是一款高性能增强模式晶体管，专为苛刻的电源转换应用而设计。STMicro SGT070R70HTO采用氮化镓 (GaN) 技术，提供卓越的开关性能，导通电阻低至70mΩ，低栅极电荷可实现高效率并降低高频操作损耗。该晶体管的漏极-源极电压额定值为700V，非常适合电源、电机驱动器和可再生能源系统等应用。该器件具有强大的热性能，采用紧凑型TO-LL封装，非常适用于空间受限且散热要求极高的应用。快速开关能力和低输入电容有助于提高系统效率和功率密度，使SGT070R70HTO成为下一代电力电子设备的理想选择。