NTMFS6H858NLT1G

Name: onsemi NTMFS6H858NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS6H858NLT1G
Price: 9.74 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTMFS6H858NLT1G

制造商编号：

NTMFS6H858NLT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET T8 80V LL SO8FL

数据表:

NTMFS6H858NLT1G 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	30 A
Rds On-漏源导通电阻:	25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	12 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	42 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	4 ns
正向跨导 - 最小值:	45 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	34 ns
系列:	NTMFS6H858NL
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	15 ns
典型接通延迟时间:	9 ns

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数据表

NTMFS6H858NLT1G 数据表 (PDF)

PCN

Material Composition Disclosure

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 日本

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NTMFS6H858NL N沟道功率MOSFET

安森美半导体NTMFS6H858NL N沟道功率MOSFET专为紧凑、高效的设计而打造，采用5mmx6mm扁平引线封装。该功率MOSFET具有低R_DS(on) 、低Q_G 和电容以及逻辑电平驱动能力。NTMFS6H858NL N沟道功率MOSFET的漏极-源极电压为80V、栅极-源极电压为±20V、工作结温和储存温度范围为-55°C至175°。该功率MOSFET不含铅，符合RoHS指令。典型应用包括开关电源、电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器和半桥）、48V系统、电机控制、负载开关和直流/直流转换器。