NTBG014N120M3P

onsemi
863-NTBG014N120M3P
NTBG014N120M3P

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14 mohm, 1200 V, M3P, D2PAK-7L

数据表:
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库存量: 967

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥228.6216 ¥228.62
¥185.6138 ¥1,856.14
¥181.3989 ¥90,699.45
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
¥175.8506 ¥140,680.48

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
104 A
20 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.63 V
337 nC
- 55 C
+ 175 C
454 W
Enhancement
EliteSiC
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 14 ns
正向跨导 - 最小值: 29 S
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 40 ns
系列: NTBG014N120M3P
工厂包装数量: 800
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 74 ns
典型接通延迟时间: 24 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M3P EliteSiC MOSFET

onsemi M3P EliteSiC MOSFET是一款高压应用解决方案，最大额定电压为1200V。 onsemi M3P MOSFET采用D2PAK7、TO-247-3LD和TO-247-4LD封装/该MOSFET具有多种功能，可满足各种设计要求。 EliteSiC MOSFET具有+22V/-10V最大栅极-源极电压，改良寄生电容，包括Coss、Ciss和Crss。

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