IXSJxN120R1 1200 V SiC功率MOSFET

Littelfuse IXSJxN120R1 1200V碳化硅 (SiC) 功率MOSFET是为要求苛刻的电源转换应用而设计的高性能器件。Littelfuse IXSJxN120R1功率MOSFET利用SiC技术的优异性能，实现低开关损耗、高效率和出色的热性能。IXSJ25N120R1的典型RDS_(on)为80mΩ，针对较低电流应用进行了优化，而IXSJ43N120R1和IXSJ80N120R1分别具有45mΩ和20mΩ导通电阻值，支持更高的电流处理能力。所有三款设备均具有快速开关速度、强大的雪崩能力以及用于改善 栅极驱动控制的开尔文源引脚。这些特点使得IXSJxN120R1系列非常适合用于电动汽车逆变器、太阳能逆变器、工业电机驱动器和高效电源。