GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT

Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT为40V、1.2mΩ 或12mΩ 、双向氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12 2,200库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

SMD/SMT WLCSP-12 P-Channel 1 Channel 40 V 10 A 12 mOhms 6 V 2.4 V 7.2 nC - 40 C + 125 C 11 W Enhancement
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16 1,826库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

SMD/SMT VQFN-16 P-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.2 mOhms 6 V 2.4 V 60 nC - 40 C + 125 C 105 W Enhancement