采用D2PAK-7L封装的750V UJ4C/SC SiC FET

Onsemi 750V UJ4C/SC SiC FET采用D2PAK-7L封装，提供从9mΩ到60mΩ的多种导通电阻选择。这些器件采用独特的级联SiC FET技术，将常开SiC JFET与Si MOSFET共同封装成常闭SiC FET，从而实现了出色的R_DS x 面积的优越性，在小芯片中实现低传导损耗。D2PAK-7L封装通过紧凑的内部连接环路降低电感，再加上配有的开尔文源极连接，可实现低开关损耗，从而实现更高的工作频率和系统功率密度。五个并联翼形电源连接可实现低电感和大电流使用。银烧结芯片连接具有热阻低的特点，可在标准印刷电路板和采用液体冷却的IMS基板上最大限度地汲取热量。