结果: 577
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 35A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-220
数据表
300预期 2026/4/27
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3L Through Hole Single 650 V 1.7 V 20 V 90 A 326 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO263 1200V 30A XPT
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 106 A 500 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX42 Tube


IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO263 2500V 30A IGBT
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 50

Si SMD/SMT Single 2.5 kV 3.1 V - 20 V, 20 V 30 A 150 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 650V 320A IGBT
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 320 A 1.2 kW - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX8 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX4 TO-264(3)
数据表
无库存
最低： 1,000
倍数： 1,000
Si TO-264-3 Through Hole Single 750 V 2.1 V - 20 V, 20 V 240 A 880 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX22 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 40A
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si ISOPLUS i4-PAC-5 Through Hole FII40-06D Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 1
倍数： 1

TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 38 A - 55 C + 150 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX3 ISOPLUS247
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

ISO247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.05 V - 20 V, 20 V 72 A 390 W - 40 C + 150 C Trench - 650V - 1200V GenX4 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT IGBT Phaseleg
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si - 20 V, 20 V IXA20RG1200DHGLB
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT IGBT Phaseleg
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si - 20 V, 20 V IXA30RG1200DHGLB
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT IGBT Phaseleg
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si - 20 V, 20 V IXA40RG1200DHGLB
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT IGBT Copack
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 9 A 45 W - 55 C + 150 C IXA4IF1200 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT Single IGBT
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
Si Single IXB200I600NA Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT Single IGBT
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
Si Single IXB80IF600NA Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO263 3KV 14A HI GAIN
数据表
无库存交货期 48 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263HV-3 SMD/SMT Single 3 kV 2.2 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 25

Si ISOPLUS i4-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 34 A 150 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ISOPLUS 3KV 22A IGBT
数据表
无库存交货期 34 周
最低： 300
倍数： 25

Si ISOPLUS i4-3 Through Hole Single 3 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 40 A 160 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 40 Amps 1600V
数据表
N/A
最低： 1
倍数： 1

Si ISOPLUS i4-PAC-3 Through Hole Single 1.6 kV 6.2 V - 20 V, 20 V 28 A 250 W - 55 C + 150 C IXBF40N160 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High Voltage High Gain BIMOSFET
数据表
无库存交货期 57 周
最低： 300
倍数： 25

Si ISOPLUS i4-PAC-3 Through Hole Single 3 kV 2.7 V - 25 V, 25 V 86 A 357 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 3KV 10A IGBT
数据表
无库存交货期 57 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247HV-3 Through Hole Single 3 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 34 A 180 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 2500V 2A IGBT
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 2.5 kV 3.8 V - 20 V, 20 V 5 A 32 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) BIMOSFET 2500V 75A
数据表
无库存交货期 80 周
最低： 300
倍数： 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 2.5 kV 3 V - 25 V, 25 V 156 A 753 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 65Amps 1700V
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

Si TO-264-3 Through Hole - 20 V, 20 V IXBK75N170
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 3600V/92A Rev Conducting IGBT
数据表
无库存
最低： 25
倍数： 25

Si ISOPLUS i5-PAC-3 Through Hole Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
数据表
无库存交货期 57 周
最低： 300
倍数： 25

Si ISOPLUS i5-PAC-3 Through Hole Very High Voltage Tube