结果: 557
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 6
倍数： 6
Capsule Type


IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO263 2500V 30A IGBT
数据表
无库存交货期 50 周
最低： 300
倍数： 50

Si SMD/SMT Single 2.5 kV 3.1 V - 20 V, 20 V 30 A 150 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX4 TO-264(3)
数据表
无库存
最低： 1,000
倍数： 1,000
Si TO-264-3 Through Hole Single 750 V 2.1 V - 20 V, 20 V 240 A 880 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX22 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
数据表
无库存交货期 34 周
最低： 1
倍数： 1

TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 38 A - 55 C + 150 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX3 ISOPLUS247
数据表
无库存交货期 34 周
最低： 1
倍数： 1

ISO247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.05 V - 20 V, 20 V 72 A 390 W - 40 C + 150 C Trench - 650V - 1200V GenX4 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT IGBT Phaseleg
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si - 20 V, 20 V IXA20RG1200DHGLB
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT IGBT Phaseleg
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si - 20 V, 20 V IXA30RG1200DHGLB
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT IGBT Phaseleg
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si - 20 V, 20 V IXA40RG1200DHGLB
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT IGBT Copack
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 9 A 45 W - 55 C + 150 C IXA4IF1200 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT Single IGBT
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
Si Single IXB200I600NA Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT Single IGBT
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
Si Single IXB80IF600NA Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO263 3KV 14A HI GAIN
数据表
无库存交货期 48 周
最低： 300
倍数： 50

Si TO-263HV-3 SMD/SMT Single 3 kV 2.2 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 300
倍数： 25

Si ISOPLUS i4-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 34 A 150 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ISOPLUS 3KV 22A IGBT
数据表
无库存交货期 54 周
最低： 300
倍数： 25

Si ISOPLUS i4-3 Through Hole Single 3 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 40 A 160 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 40 Amps 1600V
数据表
N/A
最低： 1
倍数： 1

Si ISOPLUS i4-PAC-3 Through Hole Single 1.6 kV 6.2 V - 20 V, 20 V 28 A 250 W - 55 C + 150 C IXBF40N160 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High Voltage High Gain BIMOSFET
数据表
无库存交货期 54 周
最低： 300
倍数： 25

Si ISOPLUS i4-PAC-3 Through Hole Single 3 kV 2.7 V - 25 V, 25 V 86 A 357 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 3KV 10A IGBT
数据表
无库存交货期 54 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247HV-3 Through Hole Single 3 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 34 A 180 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) BIMOSFET 2500V 75A
数据表
无库存交货期 80 周
最低： 300
倍数： 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 2.5 kV 3 V - 25 V, 25 V 156 A 753 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 65Amps 1700V
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

Si TO-264-3 Through Hole - 20 V, 20 V IXBK75N170
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 3600V/92A Rev Conducting IGBT
数据表
无库存
最低： 25
倍数： 25

Si ISOPLUS i5-PAC-3 Through Hole Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
数据表
无库存交货期 54 周
最低： 300
倍数： 25

Si ISOPLUS i5-PAC-3 Through Hole Very High Voltage Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 42 Amps 1700V 6.0 V Rds
数据表
无库存交货期 29 周
最低： 300
倍数： 10

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 38 A 313 W - 55 C + 150 C IXBN42N170 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 57Amps 1700V
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

Si ISOPLUS247-3 Through Hole IXBR42N170 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 10 Amps 1700V 2.3 Rds
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 300
倍数： 30
Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 20 A 140 W - 55 C + 150 C IXBT10N170 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO268 1700V 16A IGBT
数据表
无库存交货期 30 周
最低： 300
倍数： 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 16 A 150 W - 55 C + 150 C Tube