结果: 557
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 24 Amps 1200V 2.7 Rds
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50
Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1.2 kV - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGA12N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 24 Amps 600V 2.7 Rds
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50
Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 600 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGA12N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 30 Amps 1000V 3.5 Rds
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50
Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1 kV - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGA15N100 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 30 Amps 1200V 3.2 Rds
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 3.2 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGA15N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 40 Amps 1000V 3 Rds
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 50
倍数： 50
Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1 kV 3 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGA20N100 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 40 Amps 1200V 2.5 Rds
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 3 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGA20N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 40khz PT 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Power Device
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263 SMD/SMT Single 1.2 kV 20 V 48 A 250 W - 40 C + 150 C IXGA24N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 8 Amps 1000V 2.7 Rds
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50
Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1 kV - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGA4N100 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 14 Amps 600V 2.0 Rds
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50
Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGA7N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 16 Amps 1000V 2.7 Rds
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50
Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1 kV 2.7 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGA8N100 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 175 Amps 600V 2.1 Rds
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si ISOPLUS227-4 Screw Mount Single 600 V - 20 V, 20 V - 40 C + 150 C IXGE200N60 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 24Amps 1000V
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

Si TO-247AD-3 IXGH12N100 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 24 Amps 900V 3 Rds
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 900 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGH12N90 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 30 Amps 1200V 3.2 Rds
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGH15N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 30 Amps 1200V 3.8 Rds
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGH15N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 16A
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

Si TO-247AD-3 - 20 V, 20 V IXGH16N60 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 40 Amps 1200V 3 V Rds
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGH20N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 40A 无库存
最低： 30
倍数： 30

Si TO-247AD-3 IXGH20N160 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 240 Amps 300V 无库存
最低： 30
倍数： 30

Si TO-247AD-3 IXGH240N30 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 50 Amps 1200V 3 Rds
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30
Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGH25N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 25 Amps 1200V
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGH25N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 51 Amps 900V 2.5 Rds
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 900 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGH28N90 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 32 Amps 900V 2.7 Rds
数据表
无库存
最低： 120
倍数： 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 900 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGH32N90 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 70 Amps 1200V 3.3 Rds
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGH35N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 42 Amps 300V
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 300 V 1.54 V - 20 V, 20 V 223 W - 55 C + 150 C IXGH42N30 Tube