结果: 576
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) BIMOSFETS 1700V 60A 219库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 60 A 250 W - 55 C + 150 C IXBH24N170 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 32 Amps 1200V 295库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.35 V - 20 V, 20 V 75 A 300 W - 55 C + 150 C IXGH32N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 50 Amps 900V 2.7 Rds 291库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 900 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGH50N90 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 2500V 16A IGBT 287库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247HV-3 Through Hole Single 2.5 kV 4 V - 20 V, 20 V 38 A 500 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/130A XPTI C3-Class TO-247 374库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 130 A 600 W - 55 C + 175 C IXYH50N65 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 10 Amps 1700V 2.3 Rds 295库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.8 V - 20 V, 20 V 20 A 140 W - 55 C + 150 C IXBH10N170 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT 214库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 310 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT 1200V IGBT GenX4 XPT IGBT 337库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 66 A 416 W - 55 C + 150 C IXYH30N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT 1200V IGBT GenX6 XPT IGBT 338库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 90 A 625 W - 55 C + 150 C IXYH50N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT 400库存量
最低: 1
倍数: 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 160 A 830 W - 55 C + 175 C IXYN100N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/130A XPT C3-Class TO-220 581库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 132 A 600 W - 55 C + 175 C IXYP50N65 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1700V/108A High Voltage XPT IGBT 79库存量
870预期 2026/5/7
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 1.7 kV 4 V - 20 V, 20 V 100 A 937 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 3KV 32A IGBT 226库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 3 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 80 A 400 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 30 Amps 1200V 190库存量
最低: 1
倍数: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 30 A 300 W - 55 C + 150 C IXGT30N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 12 Amps 1700 V 4 V Rds 426库存量
最低: 1
倍数: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 4 V - 20 V, 20 V 12 A 75 W - 55 C + 150 C IXGT6N170 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT 452库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 120 A 600 W - 55 C + 175 C IXXH50N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1700V/10A XPT IGBT w/ Diode 410库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 4.1 V - 20 V, 20 V 36 A 280 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT 290库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 80 A 480 W - 55 C + 150 C IXYH40N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247 1,270库存量
150预期 2026/6/8
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 340 A 1.36 kW - 55 C + 175 C 1200V XPTTM Gen 4 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PLUS247 900V 140A GENX3 300库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 900 V 2.7 V - 20 V, 20 V 310 A 1.63 kW - 55 C + 175 C Planar Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 2500V/95A , HV XPT IGBT Copacked 201库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-PLUS-HV-3 Through Hole Single 2.5 kV 4 V - 20 V, 20 V 95 A 937 W - 55 C + 175 C High Voltage Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) SMPDB 2500V 23A IGBT 271库存量
最低: 1
倍数: 1

Si SMPD-24 SMD/SMT Half Bridge 2.5 kV 3.1 V 20 V 23 A 100 W - 55 C + 150 C Standard Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT-GenX3 TO-263D2 300库存量
最低: 1
倍数: 1

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 38 A 165 W - 40 C + 125 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXYH30N120C4H1 8库存量
300预期 2026/7/8
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2 V - 20 V, 20 V 94 A 500 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) BIMOSFETS 1700V 200A 5库存量
650预期 2026/5/4
最低: 1
倍数: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.1 V - 20 V, 20 V 200 A 1.04 kW - 55 C + 150 C IXBK75N170 Tube