结果: 557
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PLUS247 900V 140A GENX3
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 900 V 2.7 V - 20 V, 20 V 310 A 1.63 kW - 55 C + 175 C Planar Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT IGBT C3-Class 600V/170Amp CoPacked
数据表
154库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264 Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 170 A 695 W - 55 C + 150 C IXXK100N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) SOT227 1200V 140A XPT
数据表
78库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227-4 Screw Mount Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 380 A 1.07 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 48 Amps 600V
数据表
440库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT Single 600 V 1.35 V - 20 V, 20 V 120 A 300 W - 55 C + 150 C IXGA48N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/116A TRENCH IGBT GENX4 XPT
数据表
279库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.2 V - 20 V, 20 V 145 A 536 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT IGBT C3-Class 1200V/160A; Copack
数据表
260库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 164 A 1.04 kW - 55 C + 150 C IXYB82N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
数据表
110库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.4 V - 20 V, 20 V 310 A 1.36 kW - 55 C + 175 C 1200V XPTTM Gen 7 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 20 Amps 1700 V 4 V Rds
数据表
368库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 4 V - 20 V, 20 V 20 A 110 W - 55 C + 150 C IXGH10N170 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
数据表
214库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 310 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 900V 24A 2.7V XPT 绝缘栅双极晶体管(IGBT) GenX3 w/ Diode
数据表
281库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 900 V 3 V - 20 V, 20 V 44 A 200 W - 55 C + 150 C Planar Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 400 Amps 300V
数据表
299库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 300 V 1.15 V - 20 V, 20 V 400 A 1 kW - 55 C + 150 C IXGK400N30 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/120A TRENCH IGBT GENX4 XPT
数据表
260库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 20 V, 20 V 120 A 455 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
数据表
90库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 160 A 625 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO268 3KV 12A BIMOSFET
数据表
277库存量
最低： 1
倍数： 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 3 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 30 A 160 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 50 Amps 900V 2.7 Rds
数据表
291库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 900 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGH50N90 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PLUS247 650V 140A SN DIO
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V - 20 V, 20 V 340 A 1.2 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/80A XPT Copacked TO-247
数据表
242库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 300 W - 55 C + 175 C IXYH40N65 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 900V 60A 2.7V XPT IGBT GenX3
数据表
141库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 900 V 2.9 V - 20 V, 20 V 140 A 750 W - 55 C + 175 C Planar Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
数据表
135库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 220 A 650 W - 55 C + 175 C Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) SGL IGBT 1200V, 80A
数据表
79库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 2 V - 20 V, 20 V 75 A 360 W - 55 C + 150 C IXGH40N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT in SOT-227
数据表
602库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 1.15 V 20 V 510 A 1.2 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-264
数据表
355库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 1.2 V 20 V 400 A 1.15 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-264
数据表
400库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 510 A 1.61 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT in SOT-227
数据表
395库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 1.2 V 20 V 340 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 200A, XPT Gen5 B5 IGBT in SOT-227
数据表
396库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 1.2 V 20 V 390 A 1.2 kW - 55 C + 175 C Trench Tube