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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 75 Amps 1200V
数据表
583在途量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.2 kV 2.2 V - 20 V, 20 V 150 A 660 W - 40 C + 150 C IXDN75N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO264 2500V 75A IGBT
数据表
300在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264 Through Hole Single 2.5 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 170 A 780 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ISOPLUS 4500V 38A IGBT
数据表
293预期 2026/4/24
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 4.5 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 90 A 417 W - 55 C + 150 C High Voltage Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High Voltage XPT IGBT
数据表
660预期 2026/7/14
最低： 1
倍数： 1
Si TO-247-PLUS-HV-3 Through Hole Single 4.5 kV 3.9 V - 20 V, 20 V 95 A 660 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT
数据表
300预期 2026/8/13
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT Single 3 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 3KV 12A IGBT
数据表
300预期 2026/4/1
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 30 A 160 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 75 Amps 1600V 2.5 Rds
数据表
299预期 2026/7/28
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.6 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 75 A 300 W - 55 C + 150 C IXGH25N160 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds
数据表
180预期 2026/9/2
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 75 A 350 W - 55 C + 150 C IXGH32N170 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) VRY HI VOLT NPT IGBT 1700V, 72A
数据表
570预期 2026/8/10
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 5 V - 20 V, 20 V 32 A 350 W - 55 C + 150 C IXGH32N170 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 60 Amps 600V
数据表
280预期 2026/5/15
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 600 V 2.2 V 20 V 75 A 380 W - 55 C + 150 C IXGH60N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) GenX3 600V 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
270预期 2026/3/13
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 600 V 2 V 20 V 500 A 1.7 kW - 55 C + 150 C IXGK320N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 30 Amps 1200V
数据表
300预期 2026/2/23
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 60 A 300 W - 55 C + 150 C IXGP30N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PLUS247 650V 140A SN DIO
数据表
300预期 2026/4/17
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V - 20 V, 20 V 340 A 1.2 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO263 1200V 20A XPT
数据表
1,416预期 2026/10/28
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263HV-3 SMD/SMT Single 1.2 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 900V 24A 2.7V XPT 绝缘栅双极晶体管(IGBT) GenX3 w/ Diode
数据表
281预期 2026/6/16
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 900 V 3 V - 20 V, 20 V 44 A 200 W - 55 C + 150 C Planar Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/80A XPT Copacked TO-247
数据表
242预期 2026/4/10
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 300 W - 55 C + 175 C IXYH40N65 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT IGBT C3-Class 1200V/160A
数据表
330预期 2026/2/23
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 200 A 1.25 kW - 55 C + 150 C IXYH82N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO263 2500V 8A XPT
数据表
300在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247HV-3 Through Hole Single 2.5 kV 4 V - 20 V, 20 V 29 A 280 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) SOT227 650V 100A GENX3
数据表
300预期 2026/8/12
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 170 A 600 W - 55 C + 175 C Planar Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 2500V 40A IGBT
数据表
309预期 2026/4/30
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 2.5 kV 4 V - 20 V, 20 V 154 A 1.5 kW - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 26 Amps 1700V 3.5 V Rds
数据表
297预期 2026/10/1
最低： 1
倍数： 1

Si ISOPLUS i4-PAC-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 44 A 200 W - 55 C + 150 C IXGF32N170 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High Voltage IGBT 2500V; 19A
数据表
272预期 2026/6/19
最低： 1
倍数： 1

Si ISOPLUS i4-PAC-3 Through Hole Single 2.5 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 32 A 250 W - 55 C + 150 C IXLF19N250 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 1200V 60A IGBT
数据表
180预期 2026/3/27
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO220 600V 48A GENX3
数据表
296预期 2026/8/20
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.18 V - 20 V, 20 V 120 A 300 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 35A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-220
数据表
300预期 2026/4/27
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3L Through Hole Single 650 V 1.7 V 20 V 90 A 326 W - 55 C + 175 C Trench Tube