SCT40xKWA N沟道SiC功率MOSFET

ROHM Semiconductor SCT40xKWA N沟道SiC功率MOSFET属于第四代MOSFET,具有低导通电阻和更强的短路耐受能力。 此系列MOSFET具备1200V VDS、快速开关速度、4.7mm的最小爬电距离以及快速恢复时间。SCT40xKWA MOSFET符合RoHS标准,易于驱动。典型应用包括感应加热、直流-直流转换器、太阳能逆变器和开关模式电源(SMPS)。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最大工作温度 通道模式
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO263 1.2KV 75A N-CH SIC 796库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 1.2 kV 75 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO263 1.2KV 40A N-CH SIC 800库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000
SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C Enhancement