SCT40xKWA N沟道SiC功率MOSFET
ROHM Semiconductor SCT40xKWA N沟道SiC功率MOSFET属于第四代MOSFET,具有低导通电阻和更强的短路耐受能力。 此系列MOSFET具备1200V VDS、快速开关速度、4.7mm的最小爬电距离以及快速恢复时间。SCT40xKWA MOSFET符合RoHS标准,易于驱动。典型应用包括感应加热、直流-直流转换器、太阳能逆变器和开关模式电源(SMPS)。
ROHM Semiconductor SCT40xKWA N沟道SiC功率MOSFET属于第四代MOSFET,具有低导通电阻和更强的短路耐受能力。 此系列MOSFET具备1200V VDS、快速开关速度、4.7mm的最小爬电距离以及快速恢复时间。SCT40xKWA MOSFET符合RoHS标准,易于驱动。典型应用包括感应加热、直流-直流转换器、太阳能逆变器和开关模式电源(SMPS)。