功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

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STMicroelectronics MOSFET N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
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43,912库存量
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卷轴: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5
数据表
2,798库存量
最低： 1
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MOSFETs Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
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27,500库存量
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倍数： 1
卷轴: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
数据表
4,094库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
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2,628库存量
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倍数： 1
卷轴: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
数据表
836库存量
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倍数： 1
卷轴: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
数据表
4,482库存量
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倍数： 1
卷轴: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
数据表
1,755库存量
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卷轴: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
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1,658库存量
1,000预期 2026/7/27
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
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1,728库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET
数据表
1,534库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
数据表
531库存量
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG
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3,078库存量
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卷轴: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
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3,803库存量
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卷轴: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2
数据表
2,130库存量
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
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1,732库存量
最低： 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A
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3,299库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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850库存量
1,000预期 2026/5/4
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 Volt 33 Amp
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529库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET
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1,530库存量
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
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4,628库存量
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
数据表
2,361库存量
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII
数据表
2,016库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V .198Ohm 15A MDmesh M5
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2,585库存量
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5
数据表
2,750库存量
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5