功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合,满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT(用于硬开关和软开关拓扑)和低压沟槽式MOSFET(用于电源转换和BLDC电机驱动器)。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C),超小RDS(on) 区域( 随温度变化非常小)以及出色的开关性能,从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制,M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

分离式半导体类型

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体
STMicroelectronics MOSFET Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET 1,534库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed 531库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG 3,078库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H 3,803库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2 2,130库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package 1,732库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A 3,299库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 Volt 33 Amp 529库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package 1,893库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5 1,377库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected 4,380库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package 1,116库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 4,033库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5 2,190库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5 728库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5 504库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2 647库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect 698库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET 1,530库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package 4,628库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package 2,361库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII 2,010库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V .198Ohm 15A MDmesh M5 2,585库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5 2,750库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected 5,655库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8