功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合,满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT(用于硬开关和软开关拓扑)和低压沟槽式MOSFET(用于电源转换和BLDC电机驱动器)。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C),超小RDS(on) 区域( 随温度变化非常小)以及出色的开关性能,从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制,M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

分离式半导体类型

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte 1,841库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag 1,168库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2 798库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 431库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 1,816库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package 3,192库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5 1,325库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 513库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package 907库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5 671库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 1,794库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed 511库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5 984库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package 508库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package 1,131库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package 446库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2 1,799库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 2,265库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5 958库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5 2,984库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII 2,086库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2 855库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 1,797库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package 818库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2 1,994库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3