NVH4L095N065SC1

onsemi
863-NVH4L095N065SC1
NVH4L095N065SC1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 440

库存：
440 可立即发货
生产周期：
9 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥104.9657 ¥104.97
¥63.0314 ¥630.31
¥59.7996 ¥7,175.95

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
31 A
105 mOhms
- 5 V, + 18 V
4.3 V
50 nC
- 55 C
+ 175 C
64 W
Enhancement
EliteSiC
商标: onsemi
下降时间: 9 ns
正向跨导 - 最小值: 6.9 S
封装: Tube
产品: Mosfets
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 12 ns
系列: NVH4L095N065SC1
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M2 EliteSiC MOSFET

安森美M2 EliteSiC MOSFET提供650VMHz、750VMHz和1200V电压选项。安森美M2 MOSFET有多种封装可供选择，包括D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD和TO-247-4LD。MOSFET在设计和实施方面提供了灵活性。此外，M2 EliteSiC MOSFET具有+22V/-8V的最大栅极-源极电压、低RDS(on) 和长短路耐受时间（SCWT）。

NVH4L095N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美 (onsemi)  NVH4L095N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET采用先进技术，可实现更好的开关性能和可靠性。安森美 (onsemi)  NVH4L095N065SC1具有低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，从而降低了电容和栅极电荷。该器件还具有高效率、快速运行、高功率密度、低EMI和小系统尺寸等特性。  

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