GTVA大功率射频碳化硅基氮化镓HEMT

Wolfspeed/Cree GTVA大功率射频碳化硅基氮化镓HEMT是基于碳化硅基氮化镓技术的50V高电子迁移率晶体管 (HEMT)。碳化硅基氮化镓器件具有高功率密度和高击穿电压,可实现高效功率放大器。该GTVA大功率射频碳化硅基氮化镓HEMT具有输入匹配、高效率和散热增强型封装。这些脉冲波/CW(连续波)器件具有128µs的脉冲宽度和10%的占空比。

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Vgs th-栅源极阈值电压

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W 9库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 50

Screw Mount H-36248-2 N-Channel 150 V 10 A - 3 V

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W 无库存
最低: 250
倍数: 250
卷轴: 250

Screw Mount H-36248-2 N-Channel 150 V 10 A - 3 V

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W 无库存交货期 26 周
最低: 50
倍数: 50
卷轴: 50

Screw Mount H-36248-2 N-Channel 150 V 10 A - 3 V