TP65H070G4RS-TR

Name: Renesas Electronics TP65H070G4RS-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H070G4RS-TR
Price: 58.34 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

227-TP65H070G4RS-TR

制造商编号：

TP65H070G4RS-TR

制造商：

Renesas Electronics

说明：

GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in TOLT

寿命周期:

Mouser 的新产品

数据表:

TP65H070G4RS-TR 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Renesas Electronics TP65H070G4RS-TR详情

库存量: 1,696

库存：: 1,696 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 16 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥65.9242	¥65.92
	¥44.8271	¥448.27
	¥34.578	¥3,457.80
整卷卷轴（请按1300的倍数订购）
	¥28.2048	¥36,666.24

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Renesas Electronics
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TOLT-16
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	29 A
Rds On-漏源导通电阻:	85 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.8 V
Qg-栅极电荷:	9 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	96 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SuperGaN
商标:	Renesas Electronics
配置:	Single
下降时间:	7.2 ns
湿度敏感性:	Yes
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品类型:	GaN FETs
上升时间:	6.2 ns
系列:	Gen IV SuperGaN
工厂包装数量:	1300
子类别:	Transistors
技术:	GaN
典型关闭延迟时间:	56 ns
典型接通延迟时间:	43.4 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

TP65H070G4RS-TR 数据表

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

TP65H070G4RS 650 V SuperGaN® FET采用托尔特封装

Renesas Electronics TP65H070G4RS 650V SuperGaN^® TOLT FET的R_DS(on)典型值为72mΩ，采用符合JEDEC MO-332标准的顶部冷却表面贴装TOLT封装。TOLT封装提供了热管理灵活性，尤其是在不允许使用底部冷却传统表面贴装器件的系统中。TP65H070G4RS是一款常关断设备，结合了低压硅MOSFET和高压GaN HEMT技术，具有卓越的可靠性和性能。第四代SuperGaN平台利用先进的外延 (epi) 和专利设计技术来简化可制造性并提高与硅相比的效率。它通过减少栅极电荷、交叉损失、输出电容和反向恢复电荷来实现这一点。Renesas Electronics TP65H070G4RS 650V SuperGaN TOLT FET非常适合数据通信、工业、计算和其他应用。