UF4SC120023B7S

onsemi
772-UF4SC120023B7S
UF4SC120023B7S

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET 1200V/23MOSICFETG4TO263-7

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 1,081

库存：
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生产周期：
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本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥200.5072 ¥200.51
¥146.1542 ¥1,461.54
¥146.0751 ¥14,607.51
¥136.4814 ¥68,240.70
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
¥136.4814 ¥109,185.12

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
72 A
23 mOhms
- 20 V, + 20 V
6 V
37.8 nC
- 55 C
+ 175 C
385 W
Enhancement
SiC FET
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 10 ns
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: SiC FET
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 25 ns
系列: UF4SC
工厂包装数量: 800
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 64 ns
典型接通延迟时间: 23 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

UF4SC120023B7S G4碳化硅（SiC）FET

onsemi UF4SC120023B7S G4碳化硅（SiC）FET是基于独特级联电路配置的1200V、23mΩ 器件。在这种配置中，一个常开SiC JFET与一个Si MOSFET共同封装，从而产生一个常闭SiC FET器件。该器件的标准栅极驱动特性支持使用现成的栅极驱动器，因此在替代Si IGBT、Si超级结器件或SiC MOSFET时只需进行极少的重新设计工作。这些器件采用节省空间的D2PAK-7L封装（可实现自动装配），具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性。onsemi UF4SC120023B7S G4 SiC FET是开关电感负载和需要标准栅极驱动的应用的理想选择。

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