QPD1011A GaN输入匹配晶体管

Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管是一款于碳化硅（SiC）衬底的分立式氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件典型输出功率 (P_3dB)为7W，具备50Ω输入阻抗匹配特性，工作频率范围为30MHz至1.2GHz。集成输入匹配网络可实现宽带增益与功率性能；输出端可在板级进行匹配，从而在频带内任意子频带优化输出功率与效率。Qorvo QPD1011A晶体管采用6mm x 5mm x 0.85mm无引线SMT封装，可为空间受限的手持式无线电设备节省PCB面积。