NVBG070N120M3S

Name: onsemi NVBG070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG070N120M3S
Price: 112.65 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NVBG070N120M3S

制造商编号：

NVBG070N120M3S

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3

数据表:

NVBG070N120M3S 数据表

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	¥127.2945	¥127.29
	¥89.835	¥898.35
	¥81.7216	¥8,172.16
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
	¥81.6425	¥65,314.00

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	25 A
Rds On-漏源导通电阻:	87 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.4 V
Qg-栅极电荷:	57 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	172 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	8.8 ns
正向跨导 - 最小值:	12 S
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	12 ns
系列:	NVBG070N120M3S
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	30 ns
典型接通延迟时间:	11 ns

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Product Change Notification 2025-9-26 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
ECCN:: EAR99

M3S EliteSiC MOSFET

安森美 (onsemi) M3S EliteSiC MOSFET 是适用于采用硬开关拓扑的高频开关应用解决方案。安森美 (onsemi) M3S MOSFET旨在优化性能和效率。与1200V 20mΩ M1同类产品相比，该设备的总开关损耗 (Etot) 显著降低了约40%。M3S EliteSiC MOSFET非常适合各种应用，包括太阳能发电系统、车载充电器和电动汽车 (EV) 充电站。

NVBG070N120M3S碳化硅 (SIC) MOSFET

安森美（onsemi）NVBG070N120M3S碳化硅 (SIC) MOSFET是设计用于快速开关应用的1200V M3S平面EliteSiC MOSFET。该MOSFET由18V栅极驱动器驱动时可提供最佳性能，但也可与15V栅极驱动器配合使用。NVBG070N120M3S碳化硅MOSFET具有57nC超低栅极电荷、57pF高速开关（低电容）以及65mΩ典型漏极-源极导通电阻（V_GS= 18V时）。该MOSFET已100%通过雪崩测试，符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。NVBG070N120M3S SiC MOSFET采用D2PAK-7L封装，符合无铅2LI（二级互连）以及RoHS指令（7a豁免）。典型应用包括车载充电器和直流/直流转换器（用于EV/HEV）。