NVBG070N120M3S

onsemi
863-NVBG070N120M3S
NVBG070N120M3S

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3

数据表:
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库存量: 1,558

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总价:
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数量 单价
总价
¥136.2328 ¥136.23
¥96.1178 ¥961.18
¥81.7216 ¥8,172.16
¥76.3428 ¥38,171.40
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
¥76.3428 ¥61,074.24

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
25 A
87 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.4 V
57 nC
- 55 C
+ 175 C
172 W
Enhancement
EliteSiC
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 8.8 ns
正向跨导 - 最小值: 12 S
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 12 ns
系列: NVBG070N120M3S
工厂包装数量: 800
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

M3S EliteSiC MOSFET

安森美 (onsemi) M3S EliteSiC MOSFET 是适用于采用硬开关拓扑的高频开关应用解决方案。安森美 (onsemi) M3S MOSFET旨在优化性能和效率。与1200V 20mΩ M1同类产品相比，该设备的总开关损耗 (Etot) 显著降低了约40%。M3S EliteSiC MOSFET非常适合各种应用，包括太阳能发电系统、车载充电器和电动汽车 (EV) 充电站。

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