1200V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor 1200V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs enable 22kW, 800V bi-directional on-board chargers for Electric Vehicles (EVs). These MOSFETs are developed using a proprietary ‘trench-assisted planar’ technology, delivering high-speed performance. The 1200V SiC MOSFETs include 100%-tested avalanche capability, 30% longer short-circuit withstand time, and tight threshold voltage distributions for easy paralleling. These MOSFETs offer a low RDS(ON), superior power density, and cool-running performance. The 1200V SiC MOSFETs achieve up to 95.5% peak efficiency in EV charging and power conversion systems. These MOSFETs are ideal for applications, including EVs and DC-DC converters.

结果: 15
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
通道模式
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 790库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1,191库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1,552库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1,642库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 61 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1,565库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 135 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
数据表
435库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 424库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 123 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 565库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 109 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 247库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 461库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 786库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
数据表
1,570库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 513库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 653库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 75 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1,699库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 75 mOhms Enhancement