1200V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor 1200V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs enable 22kW, 800V bi-directional on-board chargers for Electric Vehicles (EVs). These MOSFETs are developed using a proprietary ‘trench-assisted planar’ technology, delivering high-speed performance. The 1200V SiC MOSFETs include 100%-tested avalanche capability, 30% longer short-circuit withstand time, and tight threshold voltage distributions for easy paralleling. These MOSFETs offer a low RDS(ON), superior power density, and cool-running performance. The 1200V SiC MOSFETs achieve up to 95.5% peak efficiency in EV charging and power conversion systems. These MOSFETs are ideal for applications, including EVs and DC-DC converters.

结果: 15
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
通道模式
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 753库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1,546库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1,416库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 61 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1,495库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 135 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
数据表
428库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 536库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 109 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 257库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 247库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 456库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 761库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 68 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
数据表
1,560库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 65 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 473库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 572库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 39 A 75 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1,685库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 35 A 75 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 40库存量
800预期 2026/8/31
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 123 A 20 mOhms Enhancement