TP65H015G5WS

Renesas Electronics
227-TP65H015G5WS
TP65H015G5WS

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 GAN FET 650V 95A TO2 47

数据表:
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥182.5515 ¥182.55
¥115.7233 ¥1,157.23
¥106.0392 ¥10,603.92
¥105.9601 ¥95,364.09

产品属性 属性值 选择属性
Renesas Electronics
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
95 A
18 mOhms
- 20 V, + 20 V
4 V
68 nC
- 55 C
+ 150 C
276 W
Enhancement
商标: Renesas Electronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
下降时间: 10 ns
封装: Tube
产品类型: GaN FETs
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 900
子类别: Transistors
技术: GaN
典型关闭延迟时间: 132 ns
典型接通延迟时间: 78 ns
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

TP65H015G5WS SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H015G5WS SuperGaN® FET是一款采用第五代SuperGaN平台的650V、15mΩ氮化镓（GaN）常关FET。该平台采用了先进的外延技术和专利设计。Renesas TP65H015G5WS的这些特性不仅简化了制造工艺，还凭借更低的栅极电荷、输出电容、开关交叉损耗和反向恢复电荷，实现了比硅基器件更高的效率。

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