NTBL023N065M3S

onsemi
863-NTBL023N065M3S
NTBL023N065M3S

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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库存量: 1,737

库存：
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生产周期：
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥133.4191 ¥133.42
¥103.2255 ¥1,032.26
¥95.1234 ¥9,512.34
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
¥84.0381 ¥168,076.20

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
H-PSOF-8
N-Channel
1 Channel
650 V
77 A
32.6 mOhms
- 8 V, + 22 V
4 V
69 nC
- 55 C
+ 175 C
312 W
Enhancement
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 9.6 ns
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: SiC MOSFETS
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 15 ns
系列: NTBL023N065M3S
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
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已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NTBL023N065M3S碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美NTBL023N065M3S碳化硅 (SiC) MOSFET设计用于要求苛刻的电源应用。安森美NTBL023N065M3S MOSFET具有23mΩ（VGS =18V时典型值）、超低栅极电荷 (QG (tot) =69nC) 以及低电容高速开关(Coss =152pF)。这些MOSFET经过全面雪崩性能测试，不含卤素，符合RoHS指令（7a豁免），在二级互连时不含铅。这些SiC MOSFET非常适合用于开关模式电源 (SMPS)、太阳能逆变器、不间断电源 (UPS)、储能系统和基础设施等应用，可为现代电源管理需求提供强大性能。

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