STAC RF DMOS 晶体管

意法半导体 提供多种 RF DMOS 功率晶体管，用于从 1MHz 到 250MHz 频率范围的应用，如调频广播、工业、科学和医学应用。意法半导体提供多种 RF DMOS 功率晶体管，它们采用从 28 到 150V 电源电压工作。它们具有高峰值功率（高达 1.2kW）和高耐用性（无穷:1 的电压驻波比）。STAC® 气隙具有更强大的散热性和 RF 性能，可靠性一流。
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结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
数据表
90库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 40 A 130 V 250 MHz 21 dB 350 W - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC244B Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 80
倍数： 80

N-Channel Si 20 A 250 V 250 MHz 24.6 dB 580 W - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC-244B Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
数据表
无库存
最低： 80
倍数： 80

N-Channel Si 1 mA 200 V 250 MHz 24.6 dB 1 kW - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC244F Bulk