射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 684
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Matched pair Transistors
数据表
413库存量
最低： 1
倍数： 1
N-Channel Si 16 A 125 V 150 MHz 17 dB 150 W + 200 C SMD/SMT 221-11-3
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
数据表
1,435库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 4 A 40 V 1 GHz 17 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
数据表
3,719库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

N-Channel Si 5 A 25 V 1 GHz 15 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerFLAT (5x5) Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
数据表
6,401库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 2.5 A 40 V 1 GHz 17 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB
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534库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 500 mA 65 V 500 MHz 18 dB 2 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 305A-01 Tray
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
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90库存量
最低： 10
倍数： 10

GaAs 440 mA to 800 mA 8 V 12 GHz 9 dB 32 dBm + 150 C Die Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
数据表
1,546库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 5 A 25 V 1 GHz 11.5 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
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450库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 7 A 65 V 1 GHz 14.3 dB 60 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB
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40库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 16 A 65 V 100 MHz to 500 MHz 8 dB 150 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 375-04 Tray
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
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56库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 30 A 1 kV 40 MHz 17 dB 750 W - 55 C + 175 C Screw Mount
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,<175MHz,50V,150W,CuMollyPkg
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260库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 16 A 125 V 175 MHz 13 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount 244-4 Tray

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
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68库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 14 A 500 V 65 MHz 13 dB 150 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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3库存量
最低： 1
倍数： 1
: 10

N-Channel GaAs 28 GHz 15 dB 24.5 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
Mini-Circuits 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMT Low Noise Amplifier, 45 MHz - 6 GHz
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427库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 500

N-Channel GaAs 60 mA 4 V 45 MHz to 6 GHz 8.9 dB 20.3 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT 1.4 mm x 1.2 mm Reel, Cut Tape, MouseReel
Mini-Circuits 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMT Low Noise Amplifier, 10 MHz - 4 GHz
数据表
408库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 500

N-Channel GaAs 60 mA 4 V 10 MHz to 4 GHz 12.3 dB 21.5 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT 1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
数据表
228库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
数据表
201库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 20 A 125 V 175 MHz 14 dB 150 W + 200 C Screw Mount Bulk
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS250/SOT1270/REELDP
数据表
29库存量
100预期 2026/9/21
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 40.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.4 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT1270-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
数据表
573库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 600

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
466库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 2.5 A 40 V 1 GHz 17 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube


STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz
数据表
59库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Bulk
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB
数据表
8库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 60 A 125 V 80 MHz 21 dB 600 W - 65 C + 150 C SMD/SMT Tray
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
数据表
152库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
数据表
51库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 5 A 65 V 1 GHz 13 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M243 Bulk
NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
数据表
207库存量
最低： 1
倍数： 1
: 250

N-Channel Si 105 V 720 MHz to 960 MHz 19.2 dB 100 W - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-780-4 Reel, Cut Tape