MRF1K50N 1500W射频功率晶体管

NXP MRF1K50N 和 MRF1K50GNR5 1500W 射频功率晶体管将高射频输出功率与卓越坚固结构和热性能完美结合。这些LDMOS器件采用超模压塑料封装，与陶瓷MRF1K50H相比，热阻最多可低30%。NXP的塑料封装技术有助于从射频晶体管中提取更多性能，同时由于更小的尺寸公差和更好的焊料连接，简化了放大器的可制造性。

NXP MRF1K50N和MRF1K50GNR5射频功率晶体管设计用于在50V电压下提供1.50kW CW功率，以及减少大功率射频放大器中的晶体管使用数量。这些器件的输入和输出设计使其可以在 1.8-500MHz 的宽频率范围内使用。
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结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
数据表
41库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 50
倍数： 50
卷轴: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230G-4 Reel