NVMFS5C612N汽车用功率MOSFET

onsemi NVMFS5C612N汽车功率MOSFET具有低RDS(on) 、QG 和栅极电容,可最大限度地降低传导和开关损耗。onsemi NVMFS5C612N汽车MOSFET采用5mm×6mm扁平引线封装,专为实现高散热性能而设计。典型应用包括反向电池保护、开关电源、电源开关、电磁阀驱动器、电机控制和负载开关。

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 封装
onsemi MOSFET 60V 225A 1.65mOhms 6,924库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 225 A 1.65 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 62 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 60V, 225A, 1.65mohm 1,480库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 225 A 1.65 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 62 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET SO8FL 60V 1,657库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 250 A 1.13 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 3.8 W, 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET SO8FL 60V 640库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 60 V 250 A 1.13 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 3.8 W, 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO 238库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 235 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 91 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 60V, 235A, 1.5mohm 1500 / Tape & Reel
1,500预期 2026/3/27
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 250 A 1.36 mOhms 20 V 2 V 91 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape