LSIC1MO120G0040

IXYS
576-LSIC1MO120G0040
LSIC1MO120G0040

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 50A N-CH SIC

数据表:
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库存量: 431

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥227.1413 ¥227.14
¥165.8501 ¥1,658.50
¥165.7597 ¥16,575.97
¥159.4769 ¥71,764.61
5,400 报价

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
70 A
50 mOhms
- 5 V, + 20 V
4 V
175 nC
- 55 C
+ 175 C
357 W
Enhancement
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 8 ns
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 9 ns
系列: LSIC1MO120G0xxx
工厂包装数量: 450
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

LSIC1MO120G0x N沟道SiC MOSFET

IXYS LSIC1MO120G0x N沟道SiC MOSFET具有1200V漏源额定电压、25mΩ至160mΩ电阻范围以及14A至70A电流。这些MOSFET优化用于高频、高效率应用，具有超低导通电阻、低栅极电阻，可在所有温度下保持常闭运行。IXYS LSIC1MO120G0x N通道SiC MOSFET非常适合用于太阳能逆变器、开关模式电源、电机驱动器和电池充电器等应用。

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