QPD1009和QPD1010 GaN射频晶体管

Qorvo QPD1009和QPD1010 GaN射频晶体管是一款分立式碳化硅基氮化镓HEMT，工作频率为直流至4GHz，采用Qorvo的完善QGaN25HV工艺。该工艺在高漏极偏置工作条件下通过先进的场盘技术优化电力和效率。该优化大大降低了系统成本（放大器系列更少）和热管理成本。