汽车用功率MOSFET

安森美 (onsemi) 功率MOSFET具有低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低QG/电容，可最大限度地降低驱动器损耗。这些功率MOSFET可降低开关损耗/电磁干扰 (EMI)。安森美 (onsemi) 汽车用功率MOSFET采用TO无引线 (TOLL) 封装，实现高效设计，具有较高的散热性能。这些MOSFET符合汽车应用类AEC-Q101标准并具有PPAP功能。这些器件适合用于电动工具、电池供电吸尘器、无人航空载具 (UAV)/无人机、材料处理、电池管理系统 (BMS)/存储和家居自动化。

结果: 10
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
封装
onsemi MOSFET T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 05 MOHMS MAX
数据表
874库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 185 nC - 55 C + 175 C 198.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NVMFS5C420NLWFT1G
onsemi MOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, 40 V, 1.0 mohm, 272 A Wettable Flank Option
数据表
10,243库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 277 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 100 nC - 55 C + 175 C 146 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
数据表
144库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole APMCA-16 N-Channel 4 Channel 650 V 26 A 82 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 79.7 nC - 40 C + 125 C 126 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SO8FL, 40 V, 1.1 mohm, 268 A
数据表
1,497库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 268 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
数据表
67库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole APMCA-16 N-Channel 4 Channel 650 V 26 A 82 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 79.7 nC - 40 C + 125 C 126 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, 40 V, 1.0 mohm, 272 A
数据表
8,807库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 277 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 100 nC - 55 C + 175 C 146 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
数据表
48库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole APMCA-16 N-Channel 4 Channel 650 V 26 A 82 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 79.7 nC - 40 C + 125 C 126 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET Single N-Channel, 150 V, 4.4 mohm, 187 A Single N-Channel, 150 V, 4.4 mohm, 187 A
数据表
162库存量
2,000预期 2026/7/10
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 150 V 187 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 90.4 nC - 55 C + 175 C 316 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SO8FL, 40 V, 1.1 mohm, 268 A Wettable Flank Option
数据表
749库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 268 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 72
倍数： 72

Si Through Hole APMCA-16 N-Channel 4 Channel 650 V 26 A 82 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 79.7 nC - 40 C + 125 C 126 W Enhancement Tube