CoolSiC™汽车用1200V G1 SiC沟槽式MOSFET

英飞凌科技CoolSiC™汽车用1200V G1 SiC沟槽式MOSFET具有更高的功率密度、更高效率和更高可靠性。该产品组合设有1200V SiC MOSFET,采用TO-247-3引脚、TO-247-4引脚和D2PAK-7引脚封装,RDS(on) 范围为8.7mΩ至160mΩ,ID在+25°C时最大为17A至205A。英飞凌科技1200V汽车用CoolSiC™ MOSFET模块具有高功率密度、出色的效率、双向充电能力以及显著降低系统成本等特性,因此非常适合用于车载充电器和直流-直流应用。TO和SMD元件还设有开尔文源极引脚,可优化开关性能。

晶体管类型

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结果: 35
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 799库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 192库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 1,356库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 837库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 2,616库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 3,495库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V 2,130库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture 2,720库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 829库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture 178库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 314库存量
1,500预期 2026/4/9
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SIC_DISCRETE 693库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFET SIC_DISCRETE 909库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFET SIC_DISCRETE 838库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 403库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 188库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 276库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 934库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 269库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SIC_DISCRETE 12库存量
2,000预期 2026/2/23
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

MOSFETs Si
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 56库存量
960在途量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 151库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 177库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L, 80mohm 120库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 3库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel