CoolSiC™汽车用1200V G1 SiC沟槽式MOSFET

英飞凌CoolSiC™汽车级1200V G1 SiC沟槽MOSFET具有更高的功率密度、更高的效率及更高的可靠性。该系列产品包括采用TO-247-3引脚、TO-247-4引脚及D2PAK-7引脚封装的1200V SiC MOSFET,其RDS(on)范围为8.7mΩ至160mΩ,在+25°C时的ID最大值为17A至205A。高功率密度、卓越的效率、双向充电能力以及显著降低的系统成本,使英飞凌的1200V汽车级CoolSiC™ MOSFET模块成为车载充电器和DC-DC应用的理想选择。TO和SMD元件还设有开尔文源极引脚,可优化开关性能。

晶体管类型

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结果: 30
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 784库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 805库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 1,688库存量
最低: 1
倍数: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 2,346库存量
最低: 1
倍数: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V 1,206库存量
750预期 2026/10/22
最低: 1
倍数: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 494库存量
750预期 2026/7/16
最低: 1
倍数: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 1,478库存量
750预期 2026/7/9
最低: 1
倍数: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 1,836库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture 27库存量
2,250在途量
最低: 1
倍数: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture 158库存量
750预期 2027/1/28
最低: 1
倍数: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SIC_DISCRETE 465库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

MOSFETs Si
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 845库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SIC_DISCRETE 899库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

MOSFETs Si
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 1,008库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SIC_DISCRETE 1,899库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 170库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 480库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 147库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 131库存量
240预期 2026/10/8
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 214库存量
240在途量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 1库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SIC_DISCRETE
2,000预期 2026/10/1
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

MOSFETs Si
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 无库存交货期 52 周
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 无库存交货期 52 周
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 无库存交货期 52 周
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel