CoolSiC™汽车用1200V G1 SiC沟槽式MOSFET

英飞凌科技CoolSiC™汽车用1200V G1 SiC沟槽式MOSFET具有更高的功率密度、更高效率和更高可靠性。该产品组合设有1200V SiC MOSFET,采用TO-247-3引脚、TO-247-4引脚和D2PAK-7引脚封装,RDS(on) 范围为8.7mΩ至160mΩ,ID在+25°C时最大为17A至205A。英飞凌科技1200V汽车用CoolSiC™ MOSFET模块具有高功率密度、出色的效率、双向充电能力以及显著降低系统成本等特性,因此非常适合用于车载充电器和直流-直流应用。TO和SMD元件还设有开尔文源极引脚,可优化开关性能。

晶体管类型

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
844预期 2027/2/25
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
480预期 2026/4/23
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 无库存交货期 26 周
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 无库存交货期 26 周
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 无库存交货期 26 周
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 无库存交货期 26 周
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 无库存交货期 26 周
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SIC_DISCRETE 无库存交货期 26 周
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SIC_DISCRETE

MOSFETs Si