NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC MOSFET

安森美 (onsemi)  NTBG022N120M3S 1200V M3S系列碳化硅 (SiC) MOSFET优化用于快速开关应用，具有22mΩ 的低漏极-源极导通电阻。M3S 系列 SiC MOSFET 采用 18 V 栅极驱动器驱动时可提供最佳性能，与 15 V 栅极驱动器配合使用时也能很好地工作。该设备采用平面技术，可在栅极处于负栅极电压驱动和关断尖峰状态下可靠工作。