CGHV50200F

Name: MACOM CGHV50200F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV50200F
Price: 12681.05 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

941-CGHV50200F

制造商编号：

CGHV50200F

制造商：

MACOM

说明：

GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt

数据表:

CGHV50200F 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	MACOM
产品种类:	GaN 场效应晶体管
发货限制：	此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS:
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	4402015
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	17 A
Vgs th-栅源极阈值电压:	- 3.4 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
商标:	MACOM
开发套件:	CGHV50200F-AMP
增益:	11.5 dB
最大工作频率:	5 GHz
最小工作频率:	4.4 GHz
输出功率:	180 W
封装:	Tray
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	10
子类别:	Transistors
技术:	GaN
晶体管类型:	GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 :	- 10 V to 2 V

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CGHV50200F GaN HEMT

Wolfspeed CGHV50200F 200W GaN（氮化镓）HEMT（高电子迁移率晶体管）非常适合用于卫星通信应用，如对流层散射通信和超视距 (BLOS)。CGHV50200F GaN HEMT匹配50Ω以方便使用。该器件设计用于连续波 (CW)、脉冲和线性模式功率放大器工作。该器件采用陶瓷/金属法兰型440217封装。