半导体 – Mouser

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

零件编号

射频放大器 Airfast RF Power Integrated Power Amplifier, 25 W Pulse over 2400-3100 MHz, 32 V

AFIC31025GNR1
NXP Semiconductors
500: ¥528.3089
无库存交货期 10 周

制造商零件编号
AFIC31025GNR1

Mouser 零件编号
771-AFIC31025GNR1

NXP Semiconductors

射频放大器 Airfast RF Power Integrated Power Amplifier, 25 W Pulse over 2400-3100 MHz, 32 V

数据表

无库存交货期 10 周

卷轴

¥528.3089

最低： 500
倍数： 500

卷轴: 500

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V

AFV10700GSR5
NXP Semiconductors
50: ¥6,652.3552
无库存交货期 10 周

制造商零件编号
AFV10700GSR5

Mouser 零件编号
771-AFV10700GSR5

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V

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数据表

无库存交货期 10 周

卷轴

¥6,652.3552

最低： 50
倍数： 50

卷轴: 50

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF300BN
NXP Semiconductors
240: ¥571.1585
无库存交货期 10 周

制造商零件编号
MRF300BN

Mouser 零件编号
771-MRF300BN

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

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数据表

无库存交货期 10 周

¥571.1585

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最低： 240
倍数： 240

射频放大器 Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V

A2I09VD030GNR1
NXP Semiconductors
500: ¥313.4055
无库存交货期 10 周

制造商零件编号
A2I09VD030GNR1

Mouser 零件编号
841-A2I09VD030GNR1

NXP Semiconductors

射频放大器 Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V

数据表

无库存交货期 10 周

卷轴

¥313.4055

查看

最低： 500
倍数： 500

卷轴: 500

射频放大器 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V

AFIC10275GNR1
NXP Semiconductors
500: ¥3,016.5689
无库存交货期 10 周

制造商零件编号
AFIC10275GNR1

Mouser 零件编号
841-AFIC10275GNR1

NXP Semiconductors

射频放大器 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V

数据表

无库存交货期 10 周

卷轴

¥3,016.5689

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最低： 500
倍数： 500

卷轴: 500

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 55W 12.5V TO270WB4

AFT09MP055NR1
NXP Semiconductors
500: ¥260.3068
无库存交货期 10 周

制造商零件编号
AFT09MP055NR1

Mouser 零件编号
841-AFT09MP055NR1

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 55W 12.5V TO270WB4

数据表

无库存交货期 10 周

卷轴

¥260.3068

最低： 500
倍数： 500

卷轴: 500

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V

AFT09MS031GNR1
NXP Semiconductors
500: ¥189.3315
无库存交货期 10 周

制造商零件编号
AFT09MS031GNR1

Mouser 零件编号
841-AFT09MS031GNR1

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V

数据表

无库存交货期 10 周

卷轴

¥189.3315

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最低： 500
倍数： 500

卷轴: 500

射频放大器 HV8IC 70W TO270WBL16

MD8IC970NR1
NXP Semiconductors
500: ¥424.2472
无库存交货期 10 周

制造商零件编号
MD8IC970NR1

Mouser 零件编号
841-MD8IC970NR1

NXP Semiconductors

射频放大器 HV8IC 70W TO270WBL16

数据表

无库存交货期 10 周

卷轴

¥424.2472

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最低： 500
倍数： 500

卷轴: 500

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

MRF1K50GNR5
NXP Semiconductors
50: ¥2,343.5974
无库存交货期 10 周

制造商零件编号
MRF1K50GNR5

Mouser 零件编号
841-MRF1K50GNR5

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

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数据表

无库存交货期 10 周

卷轴

¥2,343.5974

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最低： 50
倍数： 50

卷轴: 50

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780H

MRF6V12250HR5
NXP Semiconductors
50: ¥5,549.2492
无库存交货期 10 周

制造商零件编号
MRF6V12250HR5

Mouser 零件编号
841-MRF6V12250HR5

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780H

数据表

无库存交货期 10 周

卷轴

¥5,549.2492

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最低： 50
倍数： 50

卷轴: 50

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1400MHZ 50V

MRF6V14300HSR5
NXP Semiconductors
50: ¥4,836.1514
无库存交货期 10 周

制造商零件编号
MRF6V14300HSR5

Mouser 零件编号
841-MRF6V14300HSR5

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1400MHZ 50V

数据表

无库存交货期 10 周

卷轴

¥4,836.1514

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最低： 50
倍数： 50

卷轴: 50

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H

MRFE6VP61K25HR6
NXP Semiconductors
150: ¥2,686.2021
无库存交货期 10 周

制造商零件编号
MRFE6VP61K25HR6

Mouser 零件编号
841-MRFE6VP61K25HR6

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H

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数据表

无库存交货期 10 周

卷轴

¥2,686.2021

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最低： 150
倍数： 150

卷轴: 150

射频放大器 Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V

AFIC10275NR5
NXP Semiconductors
50: ¥3,423.5271
无库存交货期 26 周

制造商零件编号
AFIC10275NR5

Mouser 零件编号
771-AFIC10275NR5

NXP Semiconductors

射频放大器 Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V

数据表

无库存交货期 26 周

卷轴

¥3,423.5271

最低： 50
倍数： 50

卷轴: 50

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V

MHT1803A
NXP Semiconductors
240: ¥236.6559
无库存交货期 14 周

制造商零件编号
MHT1803A

Mouser 零件编号
771-MHT1803A

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V

无库存交货期 14 周

¥236.6559

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最低： 240
倍数： 240

射频放大器 A3G26D055N 2400-2500 MHz Reference Circuit

A3G26D055N-2400
NXP Semiconductors
1: ¥4,558.8946
无库存交货期 1 周

制造商零件编号
A3G26D055N-2400

Mouser 零件编号
771-A3G26D055N-2400

NXP Semiconductors

射频放大器 A3G26D055N 2400-2500 MHz Reference Circuit

数据表

无库存交货期 1 周

¥4,558.8946

¥4,548.137

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最低： 1
倍数： 1

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MP075N-54M

AFT05MP075N-54M
NXP Semiconductors
1: ¥8,410.7256
无库存交货期 1 周

制造商零件编号
AFT05MP075N-54M

Mouser 零件编号
771-AFT05MP075N54M

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MP075N-54M

数据表

无库存交货期 1 周

¥8,410.7256

¥7,447.9091

最低： 1
倍数： 1

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MS004-200M

AFT05MS004-200M
NXP Semiconductors
1: ¥3,950.6043
无库存交货期 1 周

制造商零件编号
AFT05MS004-200M

Mouser 零件编号
771-AFT05MS004200M

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MS004-200M

数据表

无库存交货期 1 周

¥3,950.6043

¥3,437.4261

¥3,306.4026

最低： 1
倍数： 1

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT27S006N-1000M

AFT27S006N-1000M
NXP Semiconductors
1: ¥10,020.2976
无库存交货期 1 周

制造商零件编号
AFT27S006N-1000M

Mouser 零件编号
771-AFT27S006N1000M

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT27S006N-1000M

数据表

无库存交货期 1 周

¥10,020.2976

¥9,427.138

最低： 1
倍数： 1

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 55W 12.5V TO270WB4G

AFT09MP055GNR1
NXP Semiconductors
500: ¥288.4325
无库存交货期 10 周

制造商零件编号
AFT09MP055GNR1

Mouser 零件编号
841-AFT09MP055GNR1

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 55W 12.5V TO270WB4G

数据表

无库存交货期 10 周

卷轴

¥288.4325

查看

最低： 500
倍数： 500

卷轴: 500

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V

AFV121KHR5
NXP Semiconductors
50: ¥11,660.3909
无库存交货期 10 周

制造商零件编号
AFV121KHR5

Mouser 零件编号
841-AFV121KHR5

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V

数据表

无库存交货期 10 周

卷轴

¥11,660.3909

最低： 50
倍数： 50

卷轴: 50

射频放大器 Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V

MMRF2010GNR1
NXP Semiconductors
500: ¥4,689.2514
无库存交货期 10 周

制造商零件编号
MMRF2010GNR1

Mouser 零件编号
841-MMRF2010GNR1

NXP Semiconductors

射频放大器 Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V

数据表

无库存交货期 10 周

卷轴

¥4,689.2514

查看

最低： 500
倍数： 500

卷轴: 500

射频放大器 Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V

MMRF2010NR1
NXP Semiconductors
500: ¥4,122.6468
无库存交货期 10 周

制造商零件编号
MMRF2010NR1

Mouser 零件编号
841-MMRF2010NR1

NXP Semiconductors

射频放大器 Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V

数据表

无库存交货期 10 周

卷轴

¥4,122.6468

查看

最低： 500
倍数： 500

卷轴: 500

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230H

MRF6VP121KHR5
NXP Semiconductors
50: ¥7,902.9375
无库存交货期 10 周

制造商零件编号
MRF6VP121KHR5

Mouser 零件编号
841-MRF6VP121KHR5

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230H

数据表

无库存交货期 10 周

卷轴

¥7,902.9375

最低： 50
倍数： 50

卷轴: 50

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230GS

MRFE6VP61K25GSR5
NXP Semiconductors
1: ¥3,587.2302
无库存交货期 10 周

制造商零件编号
MRFE6VP61K25GSR5

Mouser 零件编号
841-MRFE6VP61K25GSR5

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230GS

数据表

无库存交货期 10 周

剪切带

¥3,587.2302

¥3,100.5279

¥2,591.0787

卷轴

¥2,590.9996

查看

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最低： 1
倍数： 1

卷轴: 50

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V

MRFE6VP5150GNR1
NXP Semiconductors
500: ¥444.5194
无库存交货期 99 周

制造商零件编号
MRFE6VP5150GNR1

Mouser 零件编号
841-MRFE6VP5150GNR1

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V

数据表

无库存交货期 99 周

卷轴

¥444.5194

最低： 500
倍数： 500

卷轴: 500

半导体类型

昴氏(上海)电子贸易有限公司

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