第四代E系列MOSFET

Vishay Semiconductors第四代E系列MOSFET是低品质因数 (FOM) MOSFET,采用E系列技术。第四代E系列MOSFET具有低有效电容,能够减少开关和导通损耗。这些MOSFET可耐受雪崩能量测试 (UIS)。第四代MOSFET采用TO-220AB、PowerPAK® SO-8L、PowerPAK® 8x8、DPAK (TO-252) 和薄引线TO-220 FULLPAK封装。典型应用包括服务器和电信电源、照明、工业、开关模式电源 (SMPS) 和功率因素校正 (PFC) 电源。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 40A N-CH MOSFET 930库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 57 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 74 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220AB 588库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET SOT669 600V 5.6A N-CH MOSFET
3,000预期 2026/4/9
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 600 V 5.6 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 8 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET E Series Power 无库存
最低: 800
倍数: 800
卷轴: 800

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 122 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Reel
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 6.4A N-CH MOSFET 无库存
最低: 1,000
倍数: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.4 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 12 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement TrenchFET
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 N CHAN 700V 34A
355在途量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 2 Channel 700 V 34 A 109 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 173 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Tray