NTMTS002N10MCTXG

onsemi
863-NTMTS002N10MCTXG
NTMTS002N10MCTXG

制造商：

说明：
MOSFET PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD CLIP 2.0 MOHMS MAX

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解onsemi NTMTS002N10MCTXG详情

库存量: 2,509

库存：
2,509 可立即发货
生产周期：
45 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥68.6588 ¥68.66
¥46.6464 ¥466.46
¥34.1599 ¥3,415.99
¥33.335 ¥16,667.50
¥31.2671 ¥31,267.10
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥31.2671 ¥93,801.30

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TDFNW-8
N-Channel
1 Channel
100 V
236 A
5.3 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
89 nC
- 55 C
+ 175 C
255 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: SIngle
下降时间: 26 ns
正向跨导 - 最小值: 180 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 19 ns
系列: NTMTS002N10MC
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 59 ns
典型接通延迟时间: 29 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NTMTS002N10MC单N沟道功率MOSFET

安森美NTMTS002N10MC单N沟道功率MOSFET采用先进的Power Trench工艺和屏蔽栅极技术制造而成。安森美NTMTS002N10MC MOSFET具有紧凑的8mmx8mm占位面积，可实现节省空间的设计。该器件的低RDS(on) 可确保最大限度地降低导通损耗，而低栅极电荷 (QG) 和电容值可降低驱动器损耗，确保出色的开关性能。这些MOSFET采用功率88封装，不含铅，符合RoHS指令，符合现代环境标准。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。