NTH4L014N120M3P

Name: onsemi NTH4L014N120M3P
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L014N120M3P
Price: 210.96 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTH4L014N120M3P

制造商编号：

NTH4L014N120M3P

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14mohm, 1200V, M3P, TO-247-4L

数据表:

NTH4L014N120M3P 数据表

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数量	单价	总价
	¥238.3848	¥238.38
	¥176.1896	¥1,761.90
	¥174.1217	¥17,412.17

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	127 A
Rds On-漏源导通电阻:	20 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.63 V
Qg-栅极电荷:	329 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	686 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	13 ns
正向跨导 - 最小值:	29 S
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	40 ns
系列:	NTH4L014N120M3P
工厂包装数量:	450
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	68 ns
典型接通延迟时间:	26 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

NTH4L014N120M3P 数据表

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M3P EliteSiC MOSFET

onsemi M3P EliteSiC MOSFET是一款高压应用解决方案，最大额定电压为1200V。 onsemi M3P MOSFET采用D2PAK7、TO-247-3LD和TO-247-4LD封装/该MOSFET具有多种功能，可满足各种设计要求。 EliteSiC MOSFET具有+22V/-10V最大栅极-源极电压，改良寄生电容，包括Coss、Ciss和Crss。