CoolMOS™ C7功率MOSFET

Infineon CoolMOS™ C7功率MOSFET标志着技术的革命性进步，它实现了低RDS(on)/封装，而且，由于其开关损耗低，故在整个负载范围内提高效率。C7系列优化用于太阳能、服务器、电信和UPS等应用中的硬开关拓扑（如功率因数校正 (CCM PFC)、双晶体管正激 (TTF) 和太阳能升压）。该系列器件具有650V击穿电压，因此适合用于需要额外安全裕度的太阳能和开关模式电源 (SMPS) PFC级。这些器件具有全球最低的RDS(on)。采用TO-247封装的导通电阻为19mΩ，采用TO-220和D2PAK封装的导通电阻为45mΩ。借助C7的快速开关性能，客户可以大于100kHz的开关频率运行器件，并可实现服务器PFC级的钛金级效率。

结果: 78
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
数据表
无库存交货期 39 周
最低： 3,000
倍数： 3,000
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 173 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 500
倍数： 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
无库存交货期 15 周
最低： 240
倍数： 240

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 54 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement CoolMOS Tube