N沟道30-45V (D-S) MOSFET

Vishay N沟道30-45V (D-S) MOSFET是TrenchFET®第四代功率MOSFET,具有具有非常低的RDS Qg品质因数 (FOM)。该器件经过调谐,可实现最低RDS-Qoss FOM,具有顶部冷却功能,另外 还可在器件上的另一个位置实现热传递。MOSFET经 100% Rg和UIS测试。

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET 30,772库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 54 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 10,175库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 291 A 960 uOhms - 16 V, 20 V 2.3 V 165 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET 11,425库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 228 A 1.36 mOhms - 16 V, 20 V 2.3 V 167 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel