N沟道30-45V (D-S) MOSFET
Vishay N沟道30-45V (D-S) MOSFET是TrenchFET®第四代功率MOSFET,具有具有非常低的RDS Qg品质因数 (FOM)。该器件经过调谐,可实现最低RDS-Qoss FOM,具有顶部冷却功能,另外 还可在器件上的另一个位置实现热传递。MOSFET经 100% Rg和UIS测试。
Vishay N沟道30-45V (D-S) MOSFET是TrenchFET®第四代功率MOSFET,具有具有非常低的RDS Qg品质因数 (FOM)。该器件经过调谐,可实现最低RDS-Qoss FOM,具有顶部冷却功能,另外 还可在器件上的另一个位置实现热传递。MOSFET经 100% Rg和UIS测试。