150V P 沟道 PowerTrench® MOSFET

Fairchild 150V P沟道 PowerTrench® MOSFET 具有非常低的 RDS(on)，而中压 P 沟道硅技术经过优化得到低 Qg，是负载开关应用的理想选择。该 P 沟道 MOSFET 采用 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench ®工艺制造，并针对低导通电阻进行了优化，同时保持了出色的开关性能。
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
onsemi MOSFET -150V P-Channel QFET
数据表
12,191库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT Power-33-8 P-Channel 1 Channel 150 V 3 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 9 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement QFET Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET PT5 150/25V Pch PowerTrench MOSFET
数据表
19,209在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SSOT-3 P-Channel 1 Channel 150 V 800 mA 1.2 Ohms - 25 V, 25 V 3.3 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel