onsemi 150V P 沟道 PowerTrench® MOSFET

Fairchild 150V P沟道 PowerTrench® MOSFET 具有非常低的 R_DS(on)，而中压 P 沟道硅技术经过优化得到低 Qg，是负载开关应用的理想选择。该 P 沟道 MOSFET 采用 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench ®工艺制造，并针对低导通电阻进行了优化，同时保持了出色的开关性能。