TM3B0020120A

Coherent
508-TM3B0020120
TM3B0020120A

制造商:

说明:
碳化硅MOSFET 1200V SIC Mosfet 20mOHm 200C Temp TO247-4 AEC-Q101

ECAD模型:
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数量 单价
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¥363.4758 ¥363.48
¥315.8011 ¥3,158.01
¥276.1946 ¥33,143.35
1,020 报价

产品属性 属性值 选择属性
Coherent
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
115 A
24.3 mOhms
- 20 V, + 20 V
2.8 V
172 nC
- 55 C
+ 200 C
660 W
Enhancement
商标: Coherent
配置: Single
下降时间: 12 ns
正向跨导 - 最小值: 30 S
封装: Tube
产品: SiC MOSFETS
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 39 ns
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TM3x00 1200V SIC MOSFETs

Coherent TM3x00 1200V SIC MOSFETs feature low RDS(on), superior thermal performance, and industry-leading avalanche capability, ensuring exceptional efficiency and versatility for automotive, industrial, and aerospace systems. The TM3x00 devices are built on Coherent's advanced Gen3+ technology platform and implement fast switching via ultra-low gate resistance. The TM3x00 1200V MOSFETs also provide very low-temperature invariant switching losses in TO247-4L, TSPAK, and TO263-7L package options. These devices are AEC-Q101 qualified at +200°C junction temperature and are proven in AS9100-rated aerospace applications.