FGHL75T65LQDT沟槽式IGBT

安森美FGHL75T65LQDT沟槽式IGBT具有大电流能力,最高工作温度为175°C。这些IGBT具有平滑、优化的开关和紧密的参数分布。FGHL75T65LQDT场终止型IGBT由软恢复和快速恢复二极管组成,符合RoHS指令。应用包括太阳能逆变器、UPS、焊机、PFC以及转换器应用。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT - 650 V 75 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode 330库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL75T65LQDTL4 Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT - 650 V 75 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode 410库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL75T65LQDT Tube