AFGBG70T65SQDC

Name: onsemi AFGBG70T65SQDC
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGBG70T65SQDC
Price: 73.49 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-AFGBG70T65SQDC

制造商编号：

AFGBG70T65SQDC

制造商：

onsemi

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 70A HIGH SPEED CO-PACK WITH SIC DIODE 20A GEN1.5

寿命周期:

新产品:

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数据表:

AFGBG70T65SQDC 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	SiC
封装 / 箱体:	D2PAK-7
安装风格:	SMD/SMT
配置:	Single
集电极—射极饱和电压:	1.54 V
栅极/发射极最大电压:	20 V
在25 C的连续集电极电流:	75 A
Pd-功率耗散:	617 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	AFGBG70T65SQDC
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
集电极最大连续电流 Ic:	70 A
栅极—射极漏泄电流:	400 nA
产品类型:	IGBTs
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors

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数据表

AFGBG70T65SQDC 数据表 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

AFGBG70T65SQDC N沟道场截止IV IGBT

安森美 (onsemi) AFGBG70T65SQDC N沟道场截止IV高速IGBT采用新型场截止第四代IGBT技术和第1.5代SiC肖特基二极管技术。该IGBT的集电极-发射极电压 (V_CES) 额定值为650V，采用D²PAK7封装。其集电极-发射极饱和电压 (V_CE(SAT)) 额定值为1.54V，集电极电流 (I_C) 额定值为70A。安森美 (onsemi) AFGBG70T65SQDC性能表现优异，兼具低导通损耗和低开关损耗，可在各类应用中实现高效率。