High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

结果: 71
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO247-3
数据表
1,117库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/16MOSICFETG3TO24
数据表
205库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/5MOSICFETG4TOLL
数据表
2,586库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 180
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/8MOSICFETG4TOLL
数据表
1,044库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/18MOSICFETG4TOLL
数据表
1,288库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/33MOSICFETG4TOLL
数据表
2,815库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/44MOSICFETG4TOLL
数据表
2,832库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 35.6 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/60MOSICFETG4TOLL
数据表
3,272库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 27.8 A 58 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO263-7
数据表
1,235库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 5.9 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO263
数据表
520库存量
800预期 2026/6/16
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO263-
数据表
427库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/11MOSICFETG4TO263
数据表
297库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7L N-Channel 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/23MOSICFETG4TOLL
数据表
1,270库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/9MOSICFETG3TO247
数据表
378库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 120 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 234 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220-3
数据表
1,104库存量
1,000预期 2026/8/10
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/70MOSICFETG3TO24
数据表
1,330库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO247
数据表
2,100库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
数据表
26库存量
1,600在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO263
数据表
37库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-3
数据表
120库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-3
数据表
664库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220-3
数据表
507库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO263-7
数据表
377库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO247-3
数据表
716库存量
600预期 2026/8/12
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO26
数据表
205库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 47 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 43 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement SiC FET