GNP2x 650V增强模式氮化镓 (GaN) HEMT

ROHM Semiconductor GNP2x 650V增强模式GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）专为高性能电源转换应用而设计。该系列模块具有高击穿电压和低栅极电荷。GNP2x系列实现了高效率、高功率密度和快速开关能力。ROHM GaN HEMT的瞬态栅源电压为8.5V，工作温度范围为-55°C至+150°C。典型应用包括高开关频率及高密度转换器。