GNP2x 650V增强模式氮化镓 (GaN) HEMT
ROHM Semiconductor GNP2x 650V增强模式氮化镓 (GaN) HEMT设计用于高性能电源转换应用。这些高电子迁移率晶体管 (HEMT) 具有高击穿电压和低栅极电荷GNP2x氮化镓 (GaN) HEMT具有高效率、大功率密度和快速切换能力。这些氮化镓 (GaN) HEMT具有8.5V瞬态栅极到源极电压，工作温度范围为-55°C至150°C。 典型应用包括高开关频率和高密度转换器。
ROHM Semiconductor GNP2x 650V增强模式氮化镓 (GaN) HEMT设计用于高性能电源转换应用。这些高电子迁移率晶体管 (HEMT) 具有高击穿电压和低栅极电荷GNP2x氮化镓 (GaN) HEMT具有高效率、大功率密度和快速切换能力。这些氮化镓 (GaN) HEMT具有8.5V瞬态栅极到源极电压，工作温度范围为-55°C至150°C。 典型应用包括高开关频率和高密度转换器。